APL: ученые приблизились к высокоскоростной магнитной микроэлектронике

Ученые России добились значительного прорыва в области магнитной микроэлектроники, позволяющего приблизиться к созданию высокоскоростных устройств. Исследователи из России успешно применили магнитоупругие свойства антиферромагнетиков для передачи энергии и информации в микроэлектронике нового поколения. Это открытие является важным шагом на пути к улучшению работы электронных устройств и повышению скорости передачи данных.

Согласно журналу Applied Physics Letters, при передаче энергии и информации в новом поколении микроэлектроники активно задействованы спиновые волны — магнитные возбуждения. Исследования в этой области проводились экспертами из различных институтов, включая Московский физико-технический институт, Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова РАН, а также лаборатории «Магнитные метаматериалы» при Саратовском государственном университете.

Особое внимание ученых привлек антиферромагнитный материал — Fe2O3 (гематит), изучение свойств которого позволило выявить его высокую спиновую динамику и уникальные частоты в гига- и терагерцовых диапазонах. Это открывает новые перспективы для разработки магнитных микроэлектронных устройств, обладающих повышенной скоростью и точностью работы.

Аспирант МФТИ Татьяна Богданова сообщила, что следующим этапом исследований будет разработка гетероструктур для изменения частот спиновых волн с использованием электрического напряжения. Это позволит создать новые устройства, способные обрабатывать информацию на высоких скоростях и с минимальными задержками.

Финансирование данного проекта было обеспечено за счет грантов Российского научного фонда, что подчеркивает важность и перспективность данного исследования для научного и технологического развития России.

Ранее «ЭкоПравда» информировала о том, что углеводы из лианы Aspidopterys obcordata защитили крыс от камней в почках.