Российские исследователи из Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создают новую технологию, которая позволит производить важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или систем связи 5G и 6G.
Российским ученым уже удалось вырастить кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Теперь они пытаются вырастить основную часть этих кристаллов (тело кристалла), проведя несколько успешных экспериментов в этом направлении. Об этом сообщает Scientificrussia.ru.
Сложность выращивания кристаллов нитрида галлия связана с тем, что они имеют различные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения. Несмотря на эти трудности, российские ученые смогли добиться значительного прогресса в процессе зарождения слоев, далее перешли к созданию буферных слоев.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что американские ученые объявили о способе выращивания яйцеклеток из клеток кожи.
Участники экспедиции Института востоковедения РАН непосредственно при раскопках в Гизе уникального погребения в доселе неизвестной…
Поток быстрого солнечного ветра поступил к Земле непосредственно из корональной дыры, но магнитных бурь на…
Mason Elephant Park, расположенный на острове Бали, прекратил окончательно катать людей на слонах. Причем это…
Российские ученые применили методы квантовой химии и системы ИИ непосредственно для поиска стабильных соединений углерода…
Международный коллектив физиков разработал недавно особое покрытие непосредственно для внешней и внутренней поверхности труб, которое…
Американские ботаники рассказали, что один из известных видов цветущих лиан, которые произрастают сейчас в прибрежных…