Российские исследователи из Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создают новую технологию, которая позволит производить важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или систем связи 5G и 6G.
Российским ученым уже удалось вырастить кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Теперь они пытаются вырастить основную часть этих кристаллов (тело кристалла), проведя несколько успешных экспериментов в этом направлении. Об этом сообщает Scientificrussia.ru.
Сложность выращивания кристаллов нитрида галлия связана с тем, что они имеют различные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения. Несмотря на эти трудности, российские ученые смогли добиться значительного прогресса в процессе зарождения слоев, далее перешли к созданию буферных слоев.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что американские ученые объявили о способе выращивания яйцеклеток из клеток кожи.
Ученые научно-просветительской экспедиции "Плавучий университет имени В. И. Вернадского" по итогам пятилетнего гидрохимического мониторинга подтвердили…
Изменение глобального климата может привести в целом к увеличению пожароопасного сезона в Сибири уже к…
Китайские ботаники получили недавно первые свидетельства того, что один из известных видов цветов-камнеломок, произрастающих строго…
Ученые Новосибирского госуниверситета (НГУ) подобрали пять разных штаммов бактерий, которые могут стать основой для устойчивого…
Дальний Восток находится на данный момент в лучших условиях непосредственно для наблюдения за звездопадом Персеиды,…
Российские и индийские ученые-малакологи недавно открыли в штате Манипур в Индии два совершенно новых для…