Российские исследователи из Института физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) создают новую технологию, которая позволит производить важный компонент, необходимый для силовой и носимой электроники, например, СВЧ-печей или систем связи 5G и 6G.
Российским ученым уже удалось вырастить кристаллы нитрида галлия на кремниевых подложках. Теперь они пытаются вырастить основную часть этих кристаллов (тело кристалла), проведя несколько успешных экспериментов в этом направлении. Об этом сообщает Scientificrussia.ru.
Сложность выращивания кристаллов нитрида галлия связана с тем, что они имеют различные параметры решетки и коэффициенты теплового расширения. Несмотря на эти трудности, российские ученые смогли добиться значительного прогресса в процессе зарождения слоев, далее перешли к созданию буферных слоев.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что американские ученые объявили о способе выращивания яйцеклеток из клеток кожи.
Земля 6 июля будет проходить самую дальнюю от Солнца точку своей привычной орбиты (афелий), поэтому…
Астрономическое лето пришло 21 июня в 11:24 мск в Россию и другие страны Северного полушария…
Исследователи обнаружили в малазийских джунглях гриб, который паразитирует на зомби-грибе. Находка получила название Pleurocordyceps cornusynnemata…
Специалисты Камчатского филиала Геофизической службы РАН оценивают уровень сейсмичности на Камчатке в целом как фоновый…
Международный коллектив экологов выявил, что массовые вырубки на планете лесов и дальнейшая постройка инфраструктуры для…
Экспедиция Южного отделения Института океанологии им. П. П. Ширшова выявила на дагестанском побережье Каспийского моря…