Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Во Франции фермер нашел на своей территории золотые самородки, общая стоимость которых оценивается в 320…
Государственная Дума РФ 22 мая окончательно приняла закон, запрещающий продажу энергетиков детям. Нарушителям грозят штрафы…
На прошлой неделе цены на овощи в среднем снизились на 1,1%, но некоторые позиции существенно…
Продуманная планировка и надежные инженерные решения должны стать главными кретериями при выборе загородного дома. Об…
В текущем году парламентарии намерены утвердить шесть значимых законопроектов, регулирующих обращение с твердыми коммунальными отходами…
В Красноярском крае следователи возбудили уголовное дело в отношении местного жителя, выбросившего щенка из окна…
