Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Сейсмическая активность непосредственно в Черном море около курортного города Сочи связана, прежде всего, с региональными…
Спасенного на Ладожском озере детеныша нерпы сейчас усиленно пытаются выкормить. Известно, что животному в принудительном…
Ученые придумали двумерные органические каркасы с так называемыми встроенными "наноловоушками", способными извлекать примерно до 99,2…
Ученые Новосибирского государственного технического университета (НГТУ) непосредственно при поддержке программы "Приоритет-2030" синтезировали специальный криогель на…
Специалисты НИТУ МИСИС и НИИ перспективных материалов и технологий придумали новую технологию получения весьма ценных…
Ученые обнаружили, что глобальное потепление значительно ускорилось на 75% за минувшее десятилетие: темпы выросли с…