Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Ученые Уральского федерального университета (УрФУ) впервые выявили в межзвездных льдах непосредственно вокруг протозвезд молекулу закиси…
Интерактивную карту вечной мерзлоты с информацией о распространении и глубине залежей мерзлых грунтов, запустили непосредственно…
Международный коллектив климатологов открыл недавно научные свидетельства того, что частицы органической материи, попадающей в Северный…
Антропологи обнаружили непосредственно в пещере Лянг-Метандуно, расположенной на индонезийском острове Муна, пока что самый древний…
Палеоантропологи обнаружили непосредственно в регионе Афар на севере Эфиопии сохранившиеся фрагменты челюсти парантропа, чей возраст…
Австрийские геофизики накануне подтвердили, что теоретические расчеты, нацеленные прежде всего на оценку количества частиц микропластика…