Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Президент России Владимир Путин выразил солидарность с позицией лидера США Дональда Трампа непосредственно о злоупотреблении…
Палеоклиматологи обнаружили недавно, что средневековая "черная смерть", то есть эпидемия чумы, была в том числе…
Палеогенетики из ЮАР и Европы в ходе исследований открыли неизвестную доселе популяцию древних людей, которая,…
Новый метод специального поиска атмосферных загрязнителей применили накануне в Северном Арктическом федеральном университете (САФУ). Он…
Если неподалеку перерабатывают мусор, страх за окружающую среду растет, а любой неприятный запах, стоит ему…
Российские исследователи разработали специальную комплексную методику непосредственно для оценки пластикового загрязнения прибрежных зон, которая будет…