Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
В начале ноября жители России смогут наблюдать на ночном и утреннем небе сближение Луны с…
Прибрежные ледники за последнее десятилетие утратили около 134 млрд тонн воды, что составляет 57% от…
Боденское озеро, расположенное на стыке границ Германии, Швейцарии и Австрии, переживает беспрецедентное снижение уровня воды.…
Глобальные карты риска наводнений, разработанные Объединённым исследовательским центром Европейской комиссии (JRC), в среднем на 13%…
Фонд «Озеро Байкал» и Агентство стратегических инициатив (АСИ) намерены сформировать рабочую группу для создания российской…
Исследователи Пермского национального исследовательского политехнического университета (ПНИПУ) разработали новый материал для биофильтров, позволяющий эффективнее устранять…