Фото: pxhere
Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Специалистами Сеченовского университета была представлена инновационная инициатива по интеграции данных о биологических часах пациентов в…
Международная научная группа представила результаты своего исследования, которое выявило связь между употреблением рыбы беременными женщинами…
Врач-эндокринолог Соёлма Доржиева подчеркнула важность учета гликемического индекса при выборе круп. Об этом сообщает редакция…
На Российском туристическом форуме «Путешествуй!» директор ассоциации туристических агрегаторов (АТАГ) Юлия Скоромолова озвучила информацию о…
Уровень Каспийского моря продолжает опускаться ниже отметки 1978 года. Об этом говорится в сообщении от…
Ученые из Техасского университета A&M провели исследование, которое показало, что физические упражнения на свежем воздухе…