Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Международный коллектив ученых пришел недавно к неутешительному выводу, что волны жары и другие экстремальные погодные…
Житель датского полуострова Химмерланд, что находится на северо-востоке Ютландии, обнаружил случайно золотые браслеты эпохи викингов.…
Европейские геологи и сейсмологи доказали, что серия землетрясений, потрясшая Азорские острова в марте 2022 года,…
Отработанные шины, покрышки и иные резинотехнические изделия в целом относятся к так называемому 4-му классу…
Ведущие российские университеты и компания "Геоскан" на минувшей конференции "Технологии "Геоскана" подписали взаимное соглашение о…
Умеренная солнечная активность прогнозируется учеными в день 24 апреля, при этом в целом не исключены…