Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Геологи Камчатского государственного университета (КамГУ) им. Витуса Беринга совместно с исследователями Северо-Восточного университета Хилл в…
Оценки нефтяных запасов Западной Сибири, сформированные во второй половине XX века, могут быть существенно завышены.…
В Омской области объявлен режим неблагоприятных метеорологических условий (НМУ), при которых загрязняющие вещества могут накапливаться…
Необходимость законодательного закрепления правил наблюдения за дельфинами в Черном море связана с защитой морских млекопитающих…
Наблюдать пик активности метеорного потока Эпсилон-Персеиды в ночь на 10 сентября можно будет при благоприятных…
В Москве представили результаты международного проекта «В космос со своим помидором», в рамках которого семена…