Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Ученые Камчатского государственного университета им. Витуса Беринга выделили наиболее перспективные сероводородные источники указанного региона непосредственно…
Российские исследователи сумели впервые описать эволюционное происхождение и выявить ближайших родственников таинственного глубоководного животного -…
Практически ежедневные пепловые выбросы непосредственно на вулкане Шивелуч связаны прежде всего с ростом нового купола…
Китайские и узбекистанские археологи обнаружили на территории древнего поселения Сапалли сохранившиеся коконы шелкопряда и фрагменты…
Ученые Воронежского государственного университета (ВГУИТ) создали специальную систему контроля непосредственно дна водоемов на содержание полихлорфенолов,…
Российские и китайские океанологи отметили, что в тропических морях планеты крупные фрагменты пластикового мусора обычно…