Команда российских ученых из МФТИ, исследовавших двухслойный графен, нашла способ создания нового типа электроники. Они могут быть встроены в различные устройства и оборудование, включая переключатели, которые отличаются быстродействием и компактностью. Об этом сообщается в журнале Nano Letters.
p-n-переход является основой полупроводниковой электроники. Для электронов он служит энергетическим барьером: этой ролью определяется его основная функция в электронике. В 1960-х годах ученые узнали, что p-n-переходы могут проводить электричество, но понять, как это происходит, удалось лишь много позже.
Открытие лаборатории дало возможность создания электронных устройств с высокой подвижностью и улучшенными туннельными свойствами. Как объясняют эксперты, их выводы имеют решающее значение для разработки цифровой электроники на основе бислойного графена.
Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что токсичные руководители — одна из главных причин стресса у сотрудников.
Ученые в РФ разработали специальный ИИ-алгоритм, который позволяет очень точно прогнозировать возникающие экстремальные погодные явления…
Заведующий лабораторией солнечной астрономии Института космических исследований РАН, профессор Сергей Богачёв рассказал, что Бетельгейзе —…
Восстановление долгой истории Солнца остается по сей день одной из крупнейших нерешенных задач астрофизики, так…
Международный коллектив химиков выяснил, что процесс разрушения обычного пластика под действием ультрафиолетового излучения сильно замедляется…
Власти Карелии планируют стимулировать естественный рост водорослей непосредственно в Белом море с помощью специальной корректировки…
Ученые выявили в Сихотэ-Алинском заповеднике новый для современной науки вид гриба, опасный непосредственно для реликтового…