Ученые НИУ МЭИ создали новый источник излучения в экстремальном ультрафиолете

Ученые Национального исследовательского университета «МЭИ» (НИУ «МЭИ») сделали значительный шаг в области микроэлектроники, разработав новый источник излучения в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (ЭУФ). Эта инновация, основанная на добавлении лития в гелиевый плазменный заряд, обещает стать важным достижением в литографии микросхем, позволяет не только сократить размеры микроэлектронных компонентов, но и повысить их быстродействие.

Ученые смогли создать стационарный источник ЭУФ-излучения, который находится в стадии опытного образца. Это стало возможным благодаря многочисленным экспериментам с добавлением лития в гелиевый плазменный разряд. Новый источник обладает высокой эффективностью и может служить основой для будущих технологий литографии.

ЭУФ-литография используется для уменьшения размеров элементов микросхем, что в свою очередь ведет к увеличению их производительности. Это очень важно в современных условиях, когда миниатюризация и высокая скорость обработки данных являются ключевыми факторами в производстве интегральных схем.

Разработанный источник излучения отличается от существующих аналогов более высоким коэффициентом полезного действия (КПД), что делает его более эффективным и экономичным для применения в промышленности.

Роль этой разработки выходит за пределы простого технологического прогресса. Как отметил ректор МЭИ Николай Рогалев, создание отечественного производства элементов интегральных схем связано с важностью технологического суверенитета России. Это позволит стране уменьшить зависимость от импортных технологий и вернуть в страну часть научных и производственных мощностей.

Ранее «ЭкоПравда» информировала о том, что сотрудник планетария Данилова опровергла теорию ретроградного Меркурия.