Ученые в РФ разработали материал для электроники нового поколения

Исследователи Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного университета впервые получили монокристаллы оксида галлия с высокой концентрацией железа, обладающие магнитными свойствами при комнатной температуре. Полученный материал может стать основой для разработки энергоэффективной памяти нового поколения, сообщили ТАСС в пресс-службе ЛЭТИ.

Для получения кристаллов ученые применили раствор-расплавный метод и внедрили в структуру оксида галлия значительное количество атомов железа. Как отметил профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ», старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Камиль Гареев, в результате эксперимента впервые удалось обнаружить признаки магнитного упорядочения в таком материале при обычной комнатной температуре.

Разработка представляет интерес для спинтроники — направления электроники, в котором для обработки и хранения информации используются не только электрические свойства носителей заряда, но и их магнитные характеристики. Для создания подобных устройств требуются полупроводниковые материалы, способные одновременно обеспечивать управление электрическими и магнитными параметрами.

Ранее «ЭкоПравда» информировала, что сейсмологи назвали причину мощного выброса лавы на Гавайях.