Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Спасенного на Ладожском озере детеныша нерпы сейчас усиленно пытаются выкормить. Известно, что животному в принудительном…
Ученые придумали двумерные органические каркасы с так называемыми встроенными "наноловоушками", способными извлекать примерно до 99,2…
Ученые Новосибирского государственного технического университета (НГТУ) непосредственно при поддержке программы "Приоритет-2030" синтезировали специальный криогель на…
Специалисты НИТУ МИСИС и НИИ перспективных материалов и технологий придумали новую технологию получения весьма ценных…
Ученые обнаружили, что глобальное потепление значительно ускорилось на 75% за минувшее десятилетие: темпы выросли с…
В водах Сингапура недавно нашли грузовое судно, затонувшее примерно 650 лет назад непосредственно по дороге…