Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Президент России Владимир Путин выразил солидарность с позицией лидера США Дональда Трампа непосредственно о злоупотреблении…
Палеоклиматологи обнаружили недавно, что средневековая "черная смерть", то есть эпидемия чумы, была в том числе…
Палеогенетики из ЮАР и Европы в ходе исследований открыли неизвестную доселе популяцию древних людей, которая,…
Новый метод специального поиска атмосферных загрязнителей применили накануне в Северном Арктическом федеральном университете (САФУ). Он…
Если неподалеку перерабатывают мусор, страх за окружающую среду растет, а любой неприятный запах, стоит ему…
Российские исследователи разработали специальную комплексную методику непосредственно для оценки пластикового загрязнения прибрежных зон, которая будет…