Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Ученые Уральского федерального университета (УрФУ) впервые выявили в межзвездных льдах непосредственно вокруг протозвезд молекулу закиси…
Интерактивную карту вечной мерзлоты с информацией о распространении и глубине залежей мерзлых грунтов, запустили непосредственно…
Международный коллектив климатологов открыл недавно научные свидетельства того, что частицы органической материи, попадающей в Северный…
Антропологи обнаружили непосредственно в пещере Лянг-Метандуно, расположенной на индонезийском острове Муна, пока что самый древний…
Палеоантропологи обнаружили непосредственно в регионе Афар на севере Эфиопии сохранившиеся фрагменты челюсти парантропа, чей возраст…
Австрийские геофизики накануне подтвердили, что теоретические расчеты, нацеленные прежде всего на оценку количества частиц микропластика…