Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Ученые Дальнего Востока подвели предварительные итоги комплексного исследования экосистемы бухты Мучке и прилегающего участка Татарского…
Международная группа ученых впервые провела масштабную оценку доступности водопроводной воды во всех регионах Африки. Исследование…
Посетители национального парка «Угра» в Калужской области теперь могут воспользоваться мобильным приложением «Зеленая кнопка», чтобы…
Британские исследователи смоделировали падение комет на Землю на ранних этапах существования Солнечной системы и пришли…
Российские и китайские исследователи выявили сходство древних коралловых рифов, сохранившихся на территории Алтая и в…
Археологи, работающие на территории древнего поселения Мецамор в Армении, выявили ряд ценных артефактов, относящихся к…