Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Последствия сильных лесных пожаров, бушующих последние дни во Франции, окажутся весьма катастрофическими для диких животных.…
Археологи обнаружили в Старой Ладоге древнейшее христианское захоронение, относящееся к эпохе Рюрика. Как сообщил непосредственно…
Международный коллектив геологов недавно открыл свидетельства того, что давнее падение погубившего динозавров астероида на Землю…
Европейские палеонтологи и биологи выявили характерные деформации непосредственно в костях позвоночника последних смилодонов - так…
Резину, способную поглощать тепло непосредственно при работе в экстремальных условиях высоких температур, сумели создать ученые…
Участники экспедиции Арктического плавучего университета провели впервые испытания в Арктике по методике поиска бактерий в…