Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Власти Карелии планируют стимулировать естественный рост водорослей непосредственно в Белом море с помощью специальной корректировки…
Ученые выявили в Сихотэ-Алинском заповеднике новый для современной науки вид гриба, опасный непосредственно для реликтового…
Ученые Московского физико-технического института придумали технологию изготовления негорючих батарей с повышенной удельной энергией непосредственно на…
Успешная замена человека на роботов непосредственно при работе в открытом космосе или на иных небесных…
Российские ученые разработали подход, который позволяет наносить композитные покрытия на базе прочной латуни и упрочняющих…
Дайверы во время акции по извлечению брошенных в Средиземном море рыболовных сетей впервые задокументировали появление…