Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
В Хакасии и на части территории Абакана продлили действие режима неблагоприятных метеорологических условий (НМУ), который…
Марс, спутники Юпитера Европа и Сатурна Энцелад входят в число наиболее перспективных мест Солнечной системы…
Соленость Азовского моря к 2026 году достигла исторического максимума, составив около 16 промилле. Таким образом,…
Человечество в будущем может обнаружить множество планет, на которых существует простейшая жизнь, однако найти миры,…
Археологи смогли восстановить ряд сведений о 18-летней жительнице древнего Херсонеса, которая жила в I–II веках…
Дельфины отличаются развитым социальным поведением и способны тяжело переживать потерю детёнышей. После гибели малыша самка…