Учёные из Курчатовского института разработали новый двумерный магнит, способный значительно улучшить кремниевую электронику.
Основу магнита составляют несколько слоев: алюминия, кремния и атомов гадолиния, которые и обеспечивают ему магнитные свойства.
Для создания этого материала был применён инновационный метод, позволяющий с высокой точностью контролировать толщину каждого слоя вплоть до уровня монослоя.
Этот подход открывает возможность получения материалов с разнообразными функциональными характеристиками, которые могут быть настроены просто за счёт изменения толщины слоев.
Современные методы синтеза двумерных магнитов позволяют получать структуры с гладкими поверхностями, что критически важно для их использования в электронике, так как неровности могут ухудшать характеристики устройств.
Новый магнит может быть интегрирован с кремниевой платформой, что даёт перспективу создания новых материалов для наноэлектроники и спинтроники.
Исследование, результаты которого были опубликованы в журнале Small, получило поддержку гранта Российского научного фонда.
Напомним, что IT-эксперт Клименко заявил о том, что ИИ может навсегда пресечь телефонные мошенничества. Подробнее об этом читайте в материале «ЭкоПравды».
Международный коллектив ученых пришел недавно к неутешительному выводу, что волны жары и другие экстремальные погодные…
Житель датского полуострова Химмерланд, что находится на северо-востоке Ютландии, обнаружил случайно золотые браслеты эпохи викингов.…
Европейские геологи и сейсмологи доказали, что серия землетрясений, потрясшая Азорские острова в марте 2022 года,…
Отработанные шины, покрышки и иные резинотехнические изделия в целом относятся к так называемому 4-му классу…
Ведущие российские университеты и компания "Геоскан" на минувшей конференции "Технологии "Геоскана" подписали взаимное соглашение о…
Умеренная солнечная активность прогнозируется учеными в день 24 апреля, при этом в целом не исключены…