В Массачусетском технологическом институте создан полупроводник толщиной в один атом

Массачусетский технологический институт разработал новый метод создания «идеальных» двумерных кристаллов — материалов, состоящих из одного слоя атомов. Эта технология поможет преодолеть ограничения, которые подстегнули разговоры о том, что «закон Мура мертв». Для создания полупроводников исследователи используют метод осаждения из газовой фазы. В этом процессе атомы осаждаются на кремниевую пластину и превращаются в двумерные структуры. Об этом сообщает ИА «Научная Россия».

Одним из способов выращивания кристаллов и получения тонких полупроводников является этот метод, но его недостатком является то, что при нормальных условиях каждое «ядро» растет в случайных направлениях. Ученые решили эту проблему, покрыв кремниевую пластину «маской»: они создали крошечные карманы из диоксида кремния — каждый из них предназначен для захвата будущего зародыша кристалла. Они пропускали газ из атомов, которые оседали в каждом кармане, образуя монокристаллический двумерный материал. Такая структура является идеальной, поскольку не содержит препятствий для движения электронов.

Для разработки многослойного полупроводника инженеры использовали этот метод. Они начали с выращивания одного типа двумерного материала в виде узора на половине каждой кремниевой пластины. После этого они вырастили еще один слой, чтобы заполнить оставшуюся часть. Затем двухслойная тонкая пленка была сформирована на каждом участке кремниевой пластины. Исследователи изучают возможности использования графена для создания высокопроизводительных электронных устройств нового поколения.

Ранее «ЭкоПравда» сообщала, что астрономы подготовили карту Галактики с 3,32 млрд звезд и других объектов.